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英特爾美光聯(lián)手推出25納米NAND存儲技術(shù)

2010-02-04            點擊:

    本報訊   (關(guān) 文)英特爾和美光科技日前宣布推出世界上首個25納米NAND存儲技術(shù),該技術(shù)能有效地增加智能手機等消費電子產(chǎn)品以及固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量,并降低產(chǎn)品尺寸。

    NAND閃存可用于存儲電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容,即使在電源關(guān)閉時也能保留信息。25納米NAND制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術(shù),也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)。單個25納米制程NAND設(shè)備的存儲容量達到8GB,為當前小巧的消費電子產(chǎn)品提供大容量存儲解決方案。其尺寸僅有167平方毫米,卻能存儲比光盤多10倍的數(shù)據(jù)。

    該技術(shù)由英特爾和美光共同組建的NAND閃存合資企業(yè)IM Flash Technologies(簡稱IMFT)生產(chǎn),通過對NAND研發(fā)的專注和投資,英特爾和美光大約每18個月將NAND的密度提升一倍,從而帶來尺寸更小、成本效益更高、容量更大的產(chǎn)品。

    英特爾公司副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Tom Rampone表示:“通過持續(xù)投資于IMFT,我們不斷推出領(lǐng)先的技術(shù)和制造工藝,開發(fā)出成本效益最高、最可靠的NAND存儲產(chǎn)品,這將加快固態(tài)硬盤解決方案在計算設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。”

    采用25納米技術(shù)的8GB設(shè)備現(xiàn)已推出樣品,預(yù)計將在2010年第二季度批量生產(chǎn)。《中國質(zhì)量報》

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